Denne læreboken gir en grundig beskrivelse av grunnleggende halvlederfysikk, og dekker et bredt spekter av viktige fenomener innen halvledere, fra enkle til avanserte emner. Den introduserer og forklarer fire forskjellige metoder for beregning av energibånd i hele båndområdet. Boken tar for seg sentrale temaer som den effektive massen, elektronenes bevegelse i et periodisk potensial, Boltzmann transportligning, samt deformasjonspotensialer som brukes til å analysere transportegenskaper. Videre undersøker teksten eksperimentelle og teoretiske analyser av syklotronresonans i detalj og gjennomgår essensielle optiske og transportegenskaper. Den dekker optiske overganger, elektron-fonon-interaksjon samt elektronmobilitet. Boken presenterer numeriske beregninger av spredningshastighet, avslapningstid og mobilitet for typiske halvledere med bulk-, kvantebrønn- og HEMT-strukturer, også med fokus på bredbåndsgapmaterialer som GaN og SiC i tillegg til IV- og III-V halvledere.
