Boken 'Semiconductor Power Devices' gir en grundig innføring i halvlederes egenskaper, pn-junksjoner og de fysiske fenomenene som er nødvendige for en dypere forståelse av kraftkomponenter. Den utforsker arbeidsprinsippene til moderne kraftdioder, thyristorer, MOSFET-er og IGBT-er i detalj, samtidig som den belyser viktige aspekter ved produksjonsteknologi for halvlederkomponenter. I denne utgaven diskuteres også de spesielle egenskapene ved enheter laget av de avanserte halvledermaterialene SiC og GaN. Boken inneholder betydelige forbedringer i forhold til sin første utgave. Den inkluderer kapitler om innkapsling og pålitelighet, og kapitlet om halvlederteknologi er skrevet på en mer detaljert måte som tar hensyn til 2D- og høy konsentrasjonseffekter. Kapitlet om IGBT-er er utvidet med nye teknologier og evaluering av deres potensial, mens det også presenteres en utvidet teori for kosmiske strålesvikt. Boken klargjør og styrker den fysiske relasjonen som har vært betvilt i nyere vitenskapelige publikasjoner angående bruk i enhetssimulering. Denne oppdaterte utgaven er dermed et uvurderlig ressurs for forskere og ingeniører som jobber med halvlederteknologi.
